+7 (000) 000 00-00
+7 (000) 000 00-00
Ежедневно, с 10:00 до 20:00

  • Ваша корзина пуста!

Биполярные (BJTs)

Популярный
КТ201А КТ112 Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные
КТ201А КТ112 Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные
0

0р.

Популярный
КТ201Б Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные
КТ201Б Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные
0

0р.

Популярный
КТ201Г Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные
КТ201Г Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные
0

0р.

Популярный
КТ203Б Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные
КТ203Б Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные
0

0р.

Популярный
КТ209А, Биполярный транзистор, PNP, -15В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=20…60 [КТ-26 / TO-92]
КТ209А, Биполярный транзистор, PNP, -15В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=20…60 [КТ-26 / TO-92]
0

0р.

Популярный
КТ209Б, Биполярный транзистор, PNP, -15В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=40…120 [КТ-26 / TO-92]
КТ209Б, Биполярный транзистор, PNP, -15В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=40…120 [КТ-26 / TO-92]
0

0р.

Популярный
КТ209Ж Биполярный транзистор, PNP, -45В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=20…60 [КТ-26 / TO-92]
КТ209Ж Биполярный транзистор, PNP, -45В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=20…60 [КТ-26 / TO-92]
0

0р.

Популярный
КТ209Л, Биполярный транзистор, PNP, -60В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=20…60 [КТ-26 / TO-92]
КТ209Л, Биполярный транзистор, PNP, -60В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=20…60 [КТ-26 / TO-92]
0

0р.

Популярный
КТ306Б Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума
КТ306Б Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума
0

0р.

Популярный
КТ3102Е Кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные
КТ3102Е Кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные
0

0р.

Популярный
КТ3102Е, Транзистор NPN, высокочастотный, малой мощности, КТ-17
КТ3102Е, Транзистор NPN, высокочастотный, малой мощности, КТ-17
0

0р.

Популярный
КТ3102ЕМ Транзистор NPN 20В 0.2А 0.25Вт 300Мгц TO92 (КТ-26)
КТ3102ЕМ Транзистор NPN 20В 0.2А 0.25Вт 300Мгц TO92 (КТ-26)
0

0р.

Популярный
КТ3107Л Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц
КТ3107Л Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц
0

0р.

Популярный
КТ312А1 Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные
КТ312А1 Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные
0

0р.

Популярный
КТ312В1 Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные
КТ312В1 Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные
0

0р.

Показано с 406 по 420 из 450 (всего 30 страниц)

Биполярные (BJTs)

Биполярный транзистор с переходом (также известный как BJT) - это особый тип полупроводникового устройства с тремя выводами, сделанными из pn переходов. Они могут усиливать сигнал, а также управляют током, т. е. они называются устройствами, управляемыми током.

Новинка
Популярный
РЭС80 Реле
РЭС80 Реле
РЭС80
0
175р.
Популярный
РЭС80 ДЛТ4.555.014-03 Реле
РЭС80 ДЛТ4.555.014-03 Реле
РЭС80 ДЛТ4.555.014-03
0
190р.
Популярный
РЭС80 ДЛТ.555.014.-07 «5» Реле
РЭС80 ДЛТ.555.014.-07 «5» Реле
РЭС80 ДЛТ.555.014.-07 «5»
0
210р.
Популярный
РЭС80 ДЛТ.555.014.-04 3В Реле
РЭС80 ДЛТ.555.014.-04 3В Реле
РЭС80 ДЛТ.555.014.-04 3В
0
215р.
Популярный
РЭС64Б РС4.569.727.01.ЭП Реле
РЭС64Б РС4.569.727.01.ЭП Реле
РЭС64Б РС4.569.727.01.ЭП
0
195р.
Популярный
РЭС6 102-01 РФ0.452.102-01 Реле
РЭС6 102-01 РФ0.452.102-01 Реле
РЭС6 102-01 РФ0.452.102-01
0
132р.
Недавно просмотренные
Популярный
25А 5x20 250V Fast Glass Fuse стекло Предохранитель
25А 5x20 250V Fast Glass Fuse стекло Предохранитель
25А 5x20 250V Fast Glass Fuse стекло
0
0р.
Популярный
К224УН2 Усилитель со специальной (спадающей) частотной характеристикой
К224УН2 Усилитель со специальной (спадающей) частотной характеристикой
К224УН2
0
0р.
Популярный
«P» 1206 SMD Предохранитель само восстанавливающийся
«P» 1206 SMD Предохранитель само восстанавливающийся
«P» 1206 SMD
0
0р.
Популярный
MC33064P-5 Формирователь импульса (сброса) [TO-92]
MC33064P-5 Формирователь импульса (сброса) [TO-92]
MC33064P-5
0
0р.
Популярный
2N7000 (TO-92) Транзистор полевой 60V, 1.8Ω, 0.35A, TO-92
2N7000 (TO-92) Транзистор полевой 60V, 1.8Ω, 0.35A, TO-92
2N7000 (TO-92)
0
0р.