Модель: КТ306Б
Краткое описание
КТ306Б Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума... Читать далее...
КТ306Б Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума
kt306b kremnievye epitaksialno-planarnye struktury n-p-n pereklyuchatelnye i usilitelnye s nenormirovannym koefficientom shuma, kt306b, bipolyarnye bjts
Недавно просмотренные

![TOP221PN Импульсный источник электропитания сх. упpавления, MOSFET 700В , выходная мощность не более 9Вт [DIP-8] TOP221PN Импульсный источник электропитания сх. упpавления, MOSFET 700В , выходная мощность не более 9Вт [DIP-8]](https://chip-detal.ru/image/cache/placeholder-200x200.png)
