• Радиокомпоненты
• Активные компоненты
• Транзисторы
• Биполярные (BJTs)
• КТ503Г Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, средней мощности

КТ503Г Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, средней мощности

Модель: КТ503Г

0 отзывов

Популярный

Краткое описание

---

КТ503Г Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, средней мощности... Читать далее...

КТ503Б Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, средней мощности КТ3107Г Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц

Нашли дешевле?

0р.

---

• Наличие: Нет в наличии

---

Продано

Быстрый заказ

---

Facebook

Twitter

Мой Мир

Вконтакте

Одноклассники

• Описание
• Отзывов (0)
• Вопрос - ответ (0)

КТ503Г Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, средней мощности

Написать отзыв

Ваше имя:

Оценка:

Ваш отзыв:

Достоинства:

Недостатки:

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оставить отзыв

kt503g kremnievye epitaksialno-planarnye struktury n-p-n usilitelnye, sredney moshchnosti, kt503g, bipolyarnye bjts