• Радиокомпоненты
• Активные компоненты
• Транзисторы
• Биполярные (BJTs)
• КТ502Е Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности

КТ502Е Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности

Модель: КТ502Е

0 отзывов

Популярный

Краткое описание

---

КТ502Е Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности... Читать далее...

КТ503А Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, средней мощности КТ529А Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный p-n-p транзистор со сверхмалым прямым падением напряжения

Нашли дешевле?

0р.

---

• Наличие: Есть в наличии

---

Купить

Быстрый заказ

---

Facebook

Twitter

Мой Мир

Вконтакте

Одноклассники

• Описание
• Отзывов (0)
• Вопрос - ответ (0)

КТ502Е Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности

Написать отзыв

Ваше имя:

Оценка:

Ваш отзыв:

Достоинства:

Недостатки:

Примечание: HTML разметка не поддерживается! Используйте обычный текст.

Оставить отзыв

kt502e kremnievye epitaksialno-planarnye struktury p-n-p usilitelnye, sredney moshchnosti, kt502e, bipolyarnye bjts