Модель: КТ855В
Краткое описание
КТ855В Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные... Читать далее...
КТ855В Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные
kt855v kremnievye epitaksialno-planarnye struktury p-n-p usilitelnye, kt855v, bipolyarnye bjts
Недавно просмотренные




![КТ816Г Биполярный транзистор, PNP, 100В, 3А, 25Вт, 3МГц [КТ-27 / TO-126] (=BD238) КТ816Г Биполярный транзистор, PNP, 100В, 3А, 25Вт, 3МГц [КТ-27 / TO-126] (=BD238)](https://chip-detal.ru/image/cache/catalog/0RD/transist/1-1/to-126-200x200.jpg)