Модель: КТ855В
Краткое описание
КТ855В Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные... Читать далее...
КТ855В Кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные
kt855v kremnievye epitaksialno-planarnye struktury p-n-p usilitelnye, kt855v, bipolyarnye bjts
Недавно просмотренные


![КТ815В, Биполярный транзистор, NPN, 70В, 1.5А, 10Вт, [КТ-27 / TO-126] (=BD137) КТ815В, Биполярный транзистор, NPN, 70В, 1.5А, 10Вт, [КТ-27 / TO-126] (=BD137)](https://chip-detal.ru/image/cache/placeholder-200x200.png)

