Модель: КТ835А
Краткое описание
КТ835А Кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные... Читать далее...
КТ835А Кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные
kt835a kremnievye mezaepitaksialno-planarnye struktury p-n-p usilitelnye, kt835a, bipolyarnye bjts
Недавно просмотренные


![LA4182, УHЧ 2x2.3Вт (9В/4 Ом) / 4.7Вт (9В/8 Ом) [HDIP-12] LA4182, УHЧ 2x2.3Вт (9В/4 Ом) / 4.7Вт (9В/8 Ом) [HDIP-12]](https://chip-detal.ru/image/cache/placeholder-200x200.png)
![КТ502В, Биполярный транзистор, PNP, -40В, -0.15А, 0.35Вт, 5МГц, h21e=40…120 [КТ-26 / TO-92] КТ502В, Биполярный транзистор, PNP, -40В, -0.15А, 0.35Вт, 5МГц, h21e=40…120 [КТ-26 / TO-92]](https://chip-detal.ru/image/cache/catalog/0RD/chip/korp1/TO-92-200x200.jpg)